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解决方案

原硅片的隐裂、崩边缺角检测 原硅片的PL检测 镀膜后PL检测

行业痛点

  光伏电池片的生产过程包含原硅片上料、清洗、制绒、刻蚀等工艺。初始原硅片大多由硅料厂提供,尽管硅料厂对生产品质有严格控制,但仍然难以避免批次问题,或出现同心圆、隐裂等缺陷;或因运输问题产生难以避免的隐裂、崩边缺角和脏污等常见缺陷。

  基于以上缺陷,如果能尽早发现,一方面可以进行返厂更换,另一方面也可以在自动化进入下道工序前尽早剔除出来,减少因碎片率增加而带来的人工清理成本和后道物料浪费,以及非A级片的产生,从而为电池厂降低大量的成本支出,并提升电池片良率。

技术方案

波粒光电针对原硅片来料及相应生产制程中出现的上述问题
开发了一种用于检测原硅片缺陷的创新技术,推出了全新的OSI系列光源模块
  • 采用近红外激光光源,利用激光强的方向性对硅片的穿透性,实现内部和边缘缺陷的同时检出
  • 匹配高清线扫相机后,可用于检测原硅片的隐裂、脏污、崩边和缺角等缺陷
  • OSI光源模块当前已经用于全国各大领先电池片大厂,直通率达到98.7%以上
  • 结合用户成熟的算法,准确率高达97%以上。已成为当今PERC、TOPCon 和HJT标配检测单元

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行业痛点

  原硅片由于未进行制绒陷光结构,与成品电池片有巨大差异。原硅片吸光效率低下导致其光致发光的效率极低,致使其内部的一些缺陷如同心圆、硅料材质不均匀等肉眼无法识别的缺陷极难被检测出来。

  上述缺陷如果上料时未被及时检出,通常只有在最后组件制程EL段才可能被发现。这使得电池片发光效率低下不得不被打入B或C级片,频繁出现这种状况也会给电池厂及组件企业带来极大的经济损失,因此上料时原硅片内部检测就显得尤为重要。

技术方案

针对原硅片光致发光效率极低的问题,波粒光电自主研发了一体式PL成像组件
可将原硅电池片的PL图像通过千兆网传输至PC端,配合自动化对缺陷进行判定并剔除
  • 应用光学技术使激光线宽达0.6mm,配合高感光度的铟镓砷相机,可以使客户极容易实现原硅片的PL检测
  • 波粒光电的原硅片PL检测方案也常常用于异质结工艺无损划片后对崩边、缺角、隐裂和同心圆缺陷的检测

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行业痛点

  当前的PERC、TOPCon以及HJT产线,由于各种限制,极少可以做到从头到尾一条整线的布局和设计。

  镀膜上料常常由VGA机器人运载花篮来连接,上下运载和机器人抓取过程都有一定的概率使电池片出现边缘隐裂或崩边缺角等缺陷。此外,如果清洗段的化学过程有工艺缺陷还会在镀膜后出现膜系不均匀、黑心和黑斑等问题。

技术方案

为了避免批量出现以上问题、大量物料的浪费。波粒光电推出镀膜后PL检测解决方案
利用光致发光技术可以在线高速实时检出每一片电池的内部缺陷,方案采用大功率硅材料高吸收峰的近红外线激光对电池片进行照射
同时选择工业级具有高敏感近红外感光的相机进行内部图像捕捉。为现场人员提供更有效的参考分析工具,以避免批次性不良片的出现
  • 实现非接触性、高可靠性、高稳定性和高速的在线检测
  • 将线激光与线扫工业相机进行高精密的对准标定,对现场安装要求非常友好,返修替换也相对容易
  • 模块配有线触发和帧触发功能以配合不同的节拍
  • 开发了延时功能以避免不同的传感器位造成图片尺寸过大等问题

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